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碳化硅(SiC)，因其"高价"多年来，终于正式进入成长期。。作为电动汽车和第五代通信系统(5G)等应用不可或缺的材料，碳化硅晶圆、使用晶圆的芯片、高频(RF)器件制造商和生产设备制造商的业务均已进入活跃期。。
预测2023年在超过100亿美元(约合人民币708亿元)的功率半导体市场中，SiC将占20亿美元(约合人民币141.6亿元)。还预测在未来2-3年内。8英寸(200毫米碳化硅直径)碳化硅晶片将"出现"。如果能实现，现有半导体工厂的量产会更容易，投资可能会更积极。这里我总结一下各个相关公司的动向。
克里'；s产能扩大30倍！
美国的克里(Cree)，占世界的60'；sSiC晶圆，今年5月宣布考虑到未来汽车的电动化和5G需求的扩大，未来5年，该公司将投资10亿美元(约合人民币70.8亿元)，扩大SiC的产能。与2016年7-9月的产能相比，2024年，克里'；的SiC、GaN器件(GaNonSiCRF)和SiC晶片的产能将分别扩大到30倍。
美国克里(Cree)也宣布，它将投资4.5亿美元(约合人民币31.86亿元)在名为"北晶圆厂"增加碳化硅和氮化镓器件的产量。同时准备符合车载认证要求的生产线，预计2020年开始生产。。预计6英寸(直径150mm)SiC晶片产能将提升18倍(以晶片面积计算)，到2024年8英寸SiC晶片将实现量产，产能将进一步提升。
另外，，他们投资了4.5亿美元(约合人民币31.86亿元)在北卡罗来纳州达勒姆校区的现有工厂，作为第一家"超级工厂"以增加碳化硅晶片的生产能力。。至于剩下的1亿美元(约合人民币7.08亿元)，该公司扩大了对其他相关业务的投资。
Cree在9月份明确表示，公司将打造"北晶圆厂"上面提到的在纽约马西。，并计划通过8英寸SiC晶片大规模生产功率半导体和射频器件。按照原计划，符合车辆认证标准的生产线将于2022年投产。
然而，克里(Cree)在5月表示随着计划的实际实施，该公司获得了纽约州5亿美元(约合人民币35.4亿元)的拨款，因此他们决定将产能比原计划提高25%。这意味着到2024年的投资计划是与之前的预测相比较的，节省2.8亿美元(约合人民币19.8亿元)。纽约州新工厂建成后，最大面积达48万平方英尺，其中1/4为洁净室，未来将根据需求扩大生产。
半导体制造商与一级供应商签订供货合同
如上所述，Cree's扩大的SiC产能不仅用于生产自己的SiCGaN器件，还与其他半导体制造商签署了长达数年的长期供应合同。具体如下：
与美国安森美半导体签订了8500多万美元(约6亿元人民币)的合同(6英寸)，与意法半导体的ST微电子签订了2.2亿美元(约15.6亿元人民币)的合同(6英寸)，与德国英飞凌签订了合同。同时，它还与另一家私营企业签订了合同。
此外，科锐于5月被大众(VW)集团选为SiC合作伙伴。该公司不仅为大众提供碳化硅部件。9月，他们还与美国大型公司Tier1Delphi签署了一项协议，从2022年开始为800V逆变器提供SiC-MOSFET。与此同时，其他汽车零部件相关厂商不断咨询Cree。
ST微电子(STmicroelectronics)也在9月公开表示。，该公司为雷诺、日产和三菱汽车联盟旗下电动汽车的OBC(车载充电)提供SiC功率半导体。。配备意法半导体SiC产品的OBC预计将于2021年开始量产。此外，据说意法半导体向雷诺、日产和三菱汽车联盟提供包括硅产品在内的标准件。
德尔福'；s800V碳化硅逆变器。(图片来自：sanyo-times)
SK，意法半导体收购SiC厂商
关于SiC晶圆的供应商，除了Cree。还有美国的II-IV(二六)，美国的Dow(陶氏集团)，德国的SiCrystal等。而中国的新兴厂商数量也在逐渐增加。据海外部的一位生产设备主管说。它'；不仅仅是克里。"所有制造商都在积极促进生产增长。"9月，韩国硅晶片制造商SKSiltron从杜邦电子公司收购了化合物解决方案(CSS)业务部门。成像(E&I)，杜邦旗下子公司，4.5亿美元(约合人民币31.86亿元)。由于获得相关部门的批准，本次收购预计将于2019年底完成。杜邦说，"CSS部门拥有最先进的技术来生产硅片，该公司还供应电力电子市场。但这不是EI'的战略重点。鉴于上述情况，我们认为SKSiltron是一个更好的所有者"！外界普遍认为SKSiltron正在巩固其在SiC晶圆中仅次于硅片的地位。同时为了应对贸易战，努力实现国产化。
此外，意法半导体在2月份宣布收购瑞典SiC晶圆制造商Norstel公司55%的股份，同时在一定条件下可以选择收购剩余的45%。。Norstel作为瑞典语链接？平大学'；公司成立于2005年，从事6英寸碳化硅轴承和外延片的开发和生产。
另外，关于SiC晶圆，6月，GTAdvancedTechnologies(GTAT)与台湾省大型硅片制造商GWC(环球晶圆)合作，签订了GTAT生产的6英寸SiC晶圆和GWC的长期供应合同。。
与此同时，在SiC晶片上沉积高质量SiC薄膜的相关活动也非常活跃，尤其是在日本。。住友电气开始大规模生产高质量外延片"EpiEra"2017年，提供4寸和6寸尺寸。
此外，昭和电气也在增加产能。。负责生产的Rank母分公司月产能在2014年9月已经达到2500件(按4寸折算)，2016年6月扩大到3000件。近年来，为了应对对功率半导体的强烈需求2018年4月，公司产能从3000片提升至5000片，2018年9月，从5000片提升至7000片。2018年7月决定2019年2月继续增产——件。昭和电气宣布将SiC的产能从7000片提高到9000片。2019年8月，第二代6英寸优质SiC外延片——"；HGE-2G"；被开发出来。
Roma和SumitomoElectricDeviceInnovation(SEDI)也在增加
SiC元件制造商的产量，将SiC晶片制造商合并到其子公司的Roma也在扩大产量。。罗马投资超过200亿日元(约合人民币13.4亿元)在子公司"罗马阿波罗建筑工厂"建设新工厂，大规模生产碳化硅功率半导体。根据预测，到2021年，公司将把SiC功率半导体的月产能提高3倍。即月产能12000片，力争全球份额达到30%。Roma已经拥有将SiC功率半导体应用于电动汽车的经验。美国的SiC功率半导体也害怕进入全球前三。
另外，在使用碳化硅晶片的碳化硅射频器件上的氮化镓方面，住友电工集团的子公司住友电工器件创新(SEDI)正在增加面向5G的氮化镓晶体管的产量。我们知道GaAsMMIC；可用于频段为4-40GHz的无线通信基站间的放大器；如果RRH(远程射频头)低于3GHz。，需要按标准搭载GaN晶体管，这是近年来对GaN晶体管的需求逐渐增加。另外，如果是sub6(6GHz以下)用于5G通信。，LDMOS可以'；无法应对高频带宽，所以现在GaN晶体管的份额超过70%。
此外，GaN在现有4G基础设施中的比重也在逐渐增加。4G方面，硅LDMOS的比例为80%，GaN的比例提高到了20%。
为了应对上述情况，住友电气设备革新(SEDI)正在扩建山梨公司的4英寸生产线。如果把2017年GaN晶体管的产量看成1，那么2020年的产量就是10，这个计划是苏联正在推进的。
从晶圆加工能力来看，2019年是2017年的两倍。2020年的计划将是2019年的3倍！而且，2018年10月，公司还与SiC晶圆生产商之一的美国II-IV(二六六)签订了战略合同。双方合作在美国II-IV(二六)新泽西工厂设立了GaN专用的6寸生产线。计划2021年开始量产，届时作为GaN器件基本元件的SiC晶片的需求应该也会增加。
虽然5G首先在sub-6频段商用，但据预测，在2022-2023年，被称为"5G"会普及。到时候将需要具有比现在更高性能的SiCRF器件上的GaN。
外延设备方面，爱思强开始销售新型号
。将来对用于在SiC晶片上沉积SiC外延的SiC外延生成设备的需求会增加。
作为独特的大型设备制造商，德国爱思强公司今年9月宣布，开始销售其新型SiCepic发电设备-"；AIXG5wwc"；据报道，这种产品已经收到了几个客户的订单。关于这个新设备是基于"行星反应堆平台"被许多Aixtron设备采用。它拥有最先进的盒式晶片处理系统(从框架箱到框架箱的晶片处理系统)。将晶片放入盒中以及在高温环境中处理晶片都是全自动的。
据报道，这种设备可以同时处理8片6英寸的晶圆，加工能力是以前机器的两倍。爱思强的这种操作，就是通过投资新设备，努力扩大市场比例。
除了Aixtron(Aixtron)、东京电子、NuFlare技术公司、意大利'；LPE等。也是相关设备供应商，LPE最近决定进入日本市场。虽然预计未来需求会增加，但竞争应该会很激烈。
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